ROHM bringt ein neues Gehäuse mit Kühlung auf der Oberseite für SiC-MOSFETs auf den Markt, das eine hohe Wärmeableitung mit Hochspannungsfähigkeit verbindet

15.06.2026

KYOTO, Japan, 15. Juni 2026 /PRNewswire/ -- ROHM Co., Ltd. hat das TSC3PAK-Gehäuse (14,00 × 18,58 × 3,50 mm) für SiC-MOSFETs entwickelt. Durch den Einsatz einer Wärmeableitungsstruktur an der Oberseite, bei der die Wärmeableitungsfläche auf der Oberseite des Gehäuses angeordnet ist, ermöglicht das neue Produkt eine automatisierte Bestückung und erreicht dabei eine Wärmeableitungsleistung, die mit der herkömmlicher Durchsteckgehäuse (TO-247-4L) vergleichbar ist. Dies trägt zu einer höheren Effizienz und Zuverlässigkeit in Stromwandlerschaltungen für Bordladegeräte (OBCs) und elektrische Kompressoren bei, die in xEVs (Elektrofahrzeugen) zum Einsatz kommen.

Produktübersicht – Seite zum TSC3PAK-Paket: https://www.rohm.com/products/sic-power-devices/sic-mosfet?page=1&PS_PackageShortCode=TSC3PAK#parametricSearch 

Abbildungen: Produktmerkmale

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Bei xEVs erstreckt sich der Einsatz von SiC-Bauelementen mittlerweile nicht mehr nur auf Hauptwechselrichter, sondern umfasst auch Stromumwandlungsschaltungen wie On-Board-Ladegeräte (OBCs) und elektrische Kompressoren, um die Ladegeschwindigkeit zu erhöhen und die Reichweite zu verlängern.

Bauteile mit Durchsteckmontage erfordern manuelle Montageprozesse, und aufgrund ihrer Bauform ist es schwierig, ein flacheres Gehäuseprofil zu erzielen. SiC-Bauelemente für die Oberflächenmontage, die für die automatisierte Bestückung geeignet sind, finden zunehmend Verbreitung. Um diese Probleme zu lösen, bietet das neue TSC3PAK eine Wärmeableitungsleistung, die mit der von Durchstecktechnologien wie TO-247 vergleichbar ist – und das in einem oberflächenmontierbaren Gehäuse.

Das neue Gehäuse verfügt über die von ROHM entwickelte Rillenstruktur, die eine große Kriechstrecke von 6,66 mm gewährleistet. Dadurch ist es in der Lage, eine Wechselstrom-Spitzenspannung von 1200 V in einer Umgebung der Verschmutzungsklasse 2 zu bewältigen und gleichzeitig die Kompatibilität mit marktüblichen Produkten zu gewährleisten.

Produkte, die das neue Gehäuse verwenden, sind mit SiC-MOSFETs der 4. Generation von ROHM ausgestattet und zeichnen sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand sowie schnelle Schalteigenschaften aus. Dadurch werden die Schaltverluste bei der Stromumwandlung deutlich reduziert, was zu einer höheren Anwendereffizienz und einem geringeren Stromverbrauch beiträgt.

Die Serienproduktion begann im Juni 2026. Weitere Informationen finden Sie auf der Kontaktseite der ROHM-Website.

Abbildungen: Produktpalette

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Anwendungsbeispiele

– Automobiltechnik: Bordladegeräte (OBCs), elektrische Kompressoren

– Industrieausrüstung: PV-Wechselrichter, Server-Netzteile

Pressemitteilung: https://www.rohm.com/news-detail?news-title=2026-06-09_news_tsc3pak&defaultGroupId=false 

Informationen zu ROHM: https://kyodonewsprwire.jp/attach/202606030283-O1-iA2h7u9F.pdf 

Logo: https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M106254/202606030283/_prw_PI3fl_r8DUbz72.jpg 

Offizielle Website: https://www.rohm.com/

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Medizin-Chips treiben Silicon Saxony in neue Wachstumsphase

15.06.2026

Silicon Saxony schärft sein Profil als europäischer Technologiestandort – und setzt dabei zunehmend auf hochspezialisierte Anwendungen. Mit dem Zukunftscluster SEMECO (Secure Medical Microsystems and Communications) startet in Dresden die zweite Förderphase für medizinische Halbleiter, während die sächsische Halbleiter- und Softwarebranche trotz schwacher Konjunktur weiter Beschäftigung aufbaut. Branchenangaben zufolge ist die Zahl der Jobs in diesem Ökosystem binnen eines Jahres um 1.500 auf rund 82.500 zum Stichtag 30. September 2025 gestiegen, ein Plus von knapp zwei Prozent gegenüber dem Vorjahr.

SEMECO entwickelt medizinische Halbleiter als Schlüsseltechnologie für sichere, vernetzte und intelligente Medizintechnik. Für die kommenden drei Jahre erhält der Cluster im Rahmen der Clusters4Future-Initiative des Bundesministeriums für Bildung und Forschung (BMBF) bis zu 15 Millionen Euro Fördermittel. Der Freistaat Sachsen begleitet das Bündnis seit Beginn und unterstützt zusätzliche regionale Forschungs- und Entwicklungsprojekte über die EFRE-Technologieförderung 2021 bis 2027. Seine aktuellen Entwicklungen präsentiert SEMECO auf den Silicon Saxony Days, die vom 15. bis 17. Juni 2026 in Dresden stattfinden sollen.

In der zweiten Förderphase richtet SEMECO den Fokus stärker auf standardisierbare medizinische Halbleiterplattformen und deren Transfer in industrielle und klinische Anwendungen. Die spezialisierten Mikrosysteme bündeln Sensorik, Datenverarbeitung, sichere Kommunikation und KI-gestützte Funktionen, zugeschnitten auf Anforderungen der Medizintechnik. Auf Basis eines modularen Plattformansatzes entstehen kombinierbare Halbleiter-, Elektronik- und Softwarekomponenten, die sich sicher integrieren und schrittweise weiterentwickeln lassen. KI-gestützte Methoden sollen zudem Zertifizierung und Zulassung unterstützen und damit den Technologietransfer in die medizinische Praxis beschleunigen – von tragbaren Ultraschallgeräten und intelligenten Vitaldatensensoren bis zu Kommunikationsimplantaten für Menschen mit eingeschränktem Hör- und Sprachvermögen.

Parallel dazu sieht der Branchenverband Silicon Saxony den gesamten Standort vor einer neuen Wachstumsphase. Das jüngste Beschäftigungsplus verteilt sich nach Verbandsangaben nahezu gleichmäßig auf Halbleiterindustrie und Softwarebranche. Die Investitionen der vergangenen Jahre entfalteten zunehmend Wirkung, sagte Frank Schönefeld, Vorsitzender des Präsidiums von Silicon Saxony. Vor dem Hintergrund der gesamtwirtschaftlich schwachen Lage unterstreiche die Entwicklung die langfristige Attraktivität des Standorts. Entlang der gesamten Wertschöpfungskette – von großen Fabrikprojekten bis zu mittelständischen Zulieferern für Reinraum- und Fabrikinfrastruktur, Spezialgase, Chemikalienversorgung und Messtechnik – rechnet der Cluster mit zusätzlichen Impulsen durch Künstliche Intelligenz, Digitalisierung und technologische Souveränität. Die Prognose von mehr als 100.000 Beschäftigten bis zum Ende des Jahrzehnts bleibt aus Sicht des Verbands unverändert bestehen.